عامل التعبئة (Fill Factor) يعتبر من إحدى مؤشرات جودة الخلايا الكهروضوئية، ويعكس قيمة مقاومة التحويل (Shunt Resistance) ومقاومة السلسلة (Series Resistance) الموجودة في الخلايا.
يتم حساب عامل التعبئة (Fill Factor) من خلال قسمة الطاقة التشغيلية القصوى (Maximum Power Point Tracking) إلى الطاقة النظرية (والتي لا يمكن تحقيقها) والتي تساوي حاصل ضرب جهد الدائرة المفتوحة ( Open Circuit Voltage: Voc) مع تيار القصر (Short Circuit Current: Isc). كما توضح المعادلة أدناه:
في الشكل أدناه يوضح المستطيلان (A+B) معادلة حساب عامل التعبئة (Fill Factor). كما يشير إلى أنه كلما كان منحنى التيار الجهد (I-V curve) أقرب إلى المستطيل كلما اقتربت قيم الجهد عند أقصى قدرة (Vmp) و التيار عند أقصى قدرة (Imp) إلى قيم جهد الدائرة المفتوحة ( Open Circuit Voltage: Voc) وتيار القصر (Short Circuit Current: Isc) وقيم طاقة أعلى.
وكلما كان عامل التعبئة (Fill Factor) أقرب إلى الواحد كلما كان ذلك أفضل. حيث يمثل عامل التعبئة (Fill Factor) بقيمة تساوي 1 منحنى التيار-الجهد (I-V curve) مستطيل تماماً، ولكن يستحيل تحقيق ذلك عملياً بسبب وجود خسائر مقاومة التحويل (Shunt Resistance) ومقاومة السلسلة (Series Resistance).
تتراوح قيم عامل التعبئة (Fill Factor) من 0.75 إلى 0.85 لخلايا السيليكون البلوري (crystalline silicon cells) ومن 0.55 إلى 0.75 لخلايا الأغشية الرقيقة (Thin-film cells).